[发明专利]一种薄膜芯片气体传感器的制备方法无效
| 申请号： | 201410636884.X | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104407033A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 禹胜林 | 申请（专利权）人： | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/407 | 分类号： | G01N27/407 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于气敏材料与元件技术领域，具体是涉及一种薄膜芯片气体传感器的制备方法。包括以下步骤：步骤一、制备一块衬底材料，在该衬底材料的表面首先镀上底电极，再镀半导体材料薄层，得到半导体气敏元件；步骤二、在半导体材料薄层之上再镀有无序型金属膜系，最后镀上点电极；步骤三、在半导体气敏元件的半导体材料薄膜层上方设置紫外灯，将紫外灯、半导体气敏元件固定在设有通气孔的传感器壳体内；本发明利用紫外光照射辅助技术提高纳米半导体气敏传感器的灵敏度，降低传感器工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 芯片 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜芯片气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制备一块衬底材料，在该衬底材料的表面首先镀上底电极，再镀半导体材料薄层，得到半导体气敏元件；步骤二、在半导体材料薄层之上再镀有无序型金属膜系，最后镀上点电极；步骤三、在半导体气敏元件的半导体材料薄膜层上方设置紫外灯，将紫外灯、半导体气敏元件固定在设有通气孔的传感器壳体内。
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