[发明专利]两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410637336.9 申请日: 2014-11-13
公开(公告)号: CN104446645A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B41/46 分类号: C04B41/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法,其是将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基片上而制得,本发明的方法操作简单,组装层在HOPG基底上修饰均匀充分,在室温下使用简单容器即可操作,无需特殊条件和设备,经定向修饰后的HOPG基片具有优良的电化学活性,制备的薄膜具有良好的机械和化学稳定性,薄膜的厚度可控等诸多优点。
搜索关键词: 两亲性钌 配合 分子 定向 修饰 hopg 及其 制备 方法
【主权项】:
一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其特征在于:将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基底上,形成两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其中两亲性钌配合物的化学结构式如下:
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