[发明专利]两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法有效
申请号: | 201410637336.9 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104446645A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C04B41/46 | 分类号: | C04B41/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法,其是将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基片上而制得,本发明的方法操作简单,组装层在HOPG基底上修饰均匀充分,在室温下使用简单容器即可操作,无需特殊条件和设备,经定向修饰后的HOPG基片具有优良的电化学活性,制备的薄膜具有良好的机械和化学稳定性,薄膜的厚度可控等诸多优点。 | ||
搜索关键词: | 两亲性钌 配合 分子 定向 修饰 hopg 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其特征在于:将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基底上,形成两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其中两亲性钌配合物的化学结构式如下:。
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