[发明专利]一种解决硼扩散后表面浓度低的方法有效
| 申请号： | 201410637872.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104393112A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李海波;陶龙忠;杨灼坚;张尧 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳电池制造领域，内容为一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，该方法步骤为：（1）将制绒或则抛光后的N型硅片利用硼源高温扩散得到P+发射极；（2）在5%～20%氢氟酸溶液常温下反应5～15mins去除表面的硼硅玻璃；（3）将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应0.5～2mins，将方阻提升10～20ohm/sq；（4）再将硅片放入碱溶液中常温下反应5～20s；（5）将硅片放入混酸溶液中清洗1～5mins到表面完全疏水；（6）用去离子水清洗并烘干。这样就可以解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低与PN结较深的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 扩散 表面 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将制绒或抛光后的硅片利用硼源高温扩散得到P+扩散层；2）在5%～20%氢氟酸溶液常温下反应5～15mins去除表面的硼硅玻璃；3）将硅片放入氢氟酸/硝酸/水 混合液体系的刻蚀溶液中反应0.5～2mins，将方阻提升10～20ohm/sq；4）再将硅片放入碱溶液中常温下反应5～20s；5）将硅片放入混酸溶液中清洗1～5mins到表面完全疏水；6）用去离子水清洗并烘干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州润阳光伏科技有限公司，未经苏州润阳光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410637872.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
