[发明专利]具有贯通电极的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410638228.3 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104637901B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赵汊济;赵泰济;郑显秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有贯通电极的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括：第一半导体芯片，其包括上面设有第一顶部焊盘的第一有源表面；第二半导体芯片，其包括上面设有第二顶部焊盘的第二有源表面和上面设有第二底部焊盘的第二无源表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上以使得第二有源表面面对第一有源表面；以及导电互连部分，其被配置为将第一半导体芯片电连接至第二半导体芯片，其中，导电互连部分包括：第一贯通电极，其穿通第二半导体芯片，并将第二底部焊盘电连接至第二顶部焊盘；以及第二贯通电极，其穿通第二半导体芯片，穿过第二顶部焊盘的水平面而不接触第二顶部焊盘，并将第二底部焊盘电连接至第一顶部焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 贯通 电极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，其包括上面设有第一顶部焊盘的第一集成电路；第二半导体芯片，其包括上面设有第二顶部焊盘的第二集成电路和上面设有第二底部焊盘并与所述第二集成电路相对的第二无源表面，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二集成电路面对所述第一集成电路；以及导电互连部分，其被配置为将第一半导体芯片电连接至第二半导体芯片，其中，所述导电互连部分包括：第一贯通电极，其穿通所述第二半导体芯片，并将所述第二底部焊盘电连接至所述第二顶部焊盘；以及第二贯通电极，其穿通所述第二半导体芯片，穿过所述第二顶部焊盘的水平面而不接触所述第二顶部焊盘，并将所述第二底部焊盘电连接至所述第一顶部焊盘。
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