[发明专利]一种基于可控硅的静电放电保护电路

摘要

本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管M_P；其中，所述PMOS晶体管M_P的源极与正向偏置的二极管D₂的n端相连，所述PMOS晶体管M_P的漏极接地，所述PMOS晶体管M_P的栅极与电源管脚V_DD相连；其中，二极管D₁、所述可控硅的寄生三极管Q_pnp的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R_n、所述二极管D₂以及所述PMOS晶体管M_P构成所述直流触发模块。本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。

主权项

一种基于可控硅的静电放电保护电路，包括泄放器件可控硅，其特征在于，还包括PMOS晶体管M_P；其中，所述PMOS晶体管M_P的源极与正向偏置的二极管D₂的n端相连，所述PMOS晶体管M_P的漏极接地，所述PMOS晶体管M_P的栅极与电源管脚V_DD相连；其中，二极管D₁、所述可控硅的寄生三极管Q_pnp的发射极‑基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R_n、所述二极管D₂以及所述PMOS晶体管M_P构成所述直流触发模块。