[发明专利]高压LED芯片的钝化层沉积方法有效
| 申请号： | 201410639894.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105655450B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李航 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO2钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的SiO2钝化层；非腐蚀区域为隔离槽的侧壁，和隔离槽的底面邻近侧壁的区域；交替进行钝化层沉积步骤和钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大。本发明提供的高压LED芯片的钝化层沉积方法，其可以减小芯片侧壁的倾斜角度，从而可以避免蒸镀电极连接桥时出现断桥，进而可以提高高压LED芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 led 芯片 钝化 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO2钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的所述SiO2钝化层；所述非腐蚀区域为所述隔离槽的侧壁，和所述隔离槽的底面邻近所述侧壁的区域；交替进行所述钝化层沉积步骤和所述钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使所述非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大；在所述隔离槽的侧壁上形成的SiO2钝化层的垂直高度超过氮化镓N电极的高度时，结束所述钝化层沉积步骤和所述钝化层去除步骤。
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