[发明专利]一种化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201410643429.2 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN105583718A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/005;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种化学机械研磨方法，包括：根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第二缺陷分布对待处理芯片进行冗余金属填充；对进行所述冗余金属填充后的待处理芯片进行化学机械研磨。采用这种方法对待处理芯片进行化学机械研磨，既减少了芯片表面的不平坦性，又减少了冗余金属的填充数量，从而大幅减少了冗余金属填充带来的互连线寄生效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第二缺陷分布对所述待处理芯片进行冗余金属填充；对进行所述冗余金属填充后的所述待处理芯片进行化学机械研磨。
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