[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置在审
申请号: | 201410643441.3 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN104319293A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 刘英伟;王美丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置,属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中,金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。本发明的技术方案能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。 | ||
搜索关键词: | 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。
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