[发明专利]一种结型场效应管的制作方法

摘要

本发明提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。本发明能够解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。

主权项

1.一种结型场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；其中，所述步骤S1具体包括：在N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；其中，在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，注入P+区或N+区，并在高温场景中充入氧气，在所述P+区或N+区表面形成一层氧化层；其中，所述P+区或N+区是由spacer工艺，即对立侧墙工艺形成；之后，去除所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层，具体将第一侧墙层和第二侧墙层表面的氧化层全部刻蚀掉，将第一侧墙层和第二侧墙层裸露出来，用湿法去掉第一侧墙层和第二侧墙层；S3.在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；其中，所述步骤S3具体包括：在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层；在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4.在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。