[发明专利]一种瞬态触发静电放电保护电路

摘要

本发明公开了一种瞬态触发静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、以及钳位晶体管。本发明提供的一种瞬态触发静电放电保护电路，在不使用电流镜的前提下，大大缩小了瞬态触发静电放电保护电路的面积，同时比之于电流镜的应用，能够在ESD事件结束后快速下拉相应NMOS管的栅压到0电位，以减少漏电；由于电阻R用PMOS晶体管M_R的替换，使得等效的RC时间常数在ESD冲击来临瞬间较小，而后变大，因此可以有效防止快速上电等情况带来的误触发。

主权项

一种瞬态触发静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、以及钳位晶体管；所述瞬态触发模块包括电阻R₁、PMOS晶体管M_C；其特征在于，所述瞬态触发模块还包括二极管D₁、二极管D_C、NMOS晶体管M_N1、M_N2，PMOS晶体管M_R，并且所述瞬态触发模块的PMOS晶体管M_C用所述二极管D_C代替，所述电阻R用所述PMOS晶体管M_R，代替；所述PMOS晶体管M_R的源极与电源管脚VDD相连，所述PMOS晶体管M_R的漏极与所述二极管D_C的阴极相连，所述二极管D_C的阳极与所述二极管D₁的阳极相连，所述二极管D₁的阴极接地，所述NMOS晶体管M_N1的漏极与所述二极管D_C的阳极相连，所述NMOS晶体管M_N1的源极接地，所述NMOS晶体管M_N1的栅极接所述二极管D₁的阳极，所述NMOS晶体管M_N2的漏极与所述二极管D₁的阳极相连，所述NMOS晶体管M_N2的源极接地，所述NMOS晶体管M_N2的栅极与所述二极管D_C的阴极相连，所述PMOS晶体管M_R的栅极与所述钳位晶体管开启模块的一级反相器的输出端连接。