[发明专利]阶梯型垂直栅NAND及其形成方法

摘要

本发明提出一种阶梯型垂直栅NAND，具有存储密度更高，水平方向和竖直方向上的拓展性大等优点。其形成方法包括：提供衬底，形成底层隔离层，并交替沉积多层硅层和多层层间隔离层；刻蚀沟槽以形成多个条状堆叠结构，每个条状堆叠结构划分为存储管区、源端选择管区和位端选择管区；向条状堆叠结构的侧表面沉积氧化绝缘介质，然后将存储管区的氧化绝缘介质减薄；在存储管区的侧表面继续依次沉积氮化硅层和二氧化硅层；沉积栅极材料并进行刻蚀形成存储管栅极、源端选择管栅极和位端选择管栅极；在源端选择管区形成器件源端；在位端选择管区刻蚀台阶以使各个硅层露出；以及形成电极，完成电学连接。

主权项

一种阶梯型垂直栅NAND的形成方法，其特征在于，包括：S1.提供衬底并在所述衬底之上形成底层隔离层，然后在所述底层隔离层之上交替沉积多层硅层和多层层间隔离层；S2.在所述多层硅层和多层层间隔离层中刻蚀多个沟槽，以形成多个相互平行的、沿第一方向延伸的条状堆叠结构，每个所述条状堆叠结构在延伸方向上划分为位于中间的存储管区、以及位于所述存储管区两侧的源端选择管区和位端选择管区；S3.向所述条状堆叠结构的侧表面沉积氧化绝缘介质，然后将所述存储管区的氧化绝缘介质减薄，其中，所述存储管区的氧化绝缘介质层作为隧穿氧化层，所述源端选择管区和位端选择管区的氧化绝缘介质层作为栅介质层；S4.在所述存储管区的侧表面继续依次沉积氮化硅层和二氧化硅层以形成电荷俘获复合层；S5.沉积栅极材料并进行刻蚀，以在所述存储管区形成鳍形的存储管栅极、在所述源端选择管区形成鳍形的源端选择管栅极、在所述位端选择管区形成柱形的位端选择管栅极；S6.在所述源端选择管区形成器件源端；S7.在所述位端选择管区刻蚀台阶以使各个硅层露出；以及S8.形成电极，完成电学连接。