[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。在第一半导体芯片中，第一多层互连层形成在第一衬底上，并且第一电感器形成在第一多层互连层中。在第二半导体芯片中，第二多层互连层形成在第二衬底上。第二电感器形成在第二多层互连层中。第一半导体芯片和第二半导体芯片在第一多层互连层和第二多层互连层彼此面对的方向上彼此重叠。此外，当在平面图中观察时，第一电感器和第二电感器彼此重叠。在Y方向上，第一绝缘膜的至少一个端部不与面对区域的端部重叠。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一多层互连层和形成在所述第一多层互连层中的第一电感器；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括第二多层互连层和形成在所述第二多层互连层中的第二电感器；以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在所述第一多层互连层和所述第二多层互连层彼此面对的方向上彼此重叠，当在平面图中观察时，所述半导体器件包括所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此重叠的面对区域，所述第一半导体芯片包括不面对所述第二半导体芯片的第一非面对区域，所述第二半导体芯片包括不面对所述第一半导体芯片的第二非面对区域，所述第一多层互连层在所述第一非面对区域中包括第一外部连接端子，所述第二多层互连层在所述第二非面对区域中包括第二外部连接端子，所述第一非面对区域、所述面对区域以及所述第二非面对区域沿第一方向依次定位，并且当从与所述第一半导体芯片垂直的方向观察时，在第二方向上，所述第一绝缘膜的至少一个端部不与所述面对区域的端部重叠，所述第二方向是与所述第一方向垂直的方向，其中，当从与所述半导体芯片垂直的方向观察时，在所述第二方向上，所述第一绝缘膜的两个端部都位于所述面对区域外部；其中，当从与所述半导体芯片垂直的方向观察时，在所述第二方向上，所述第一绝缘膜的所述两个端部都位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的外部；并且其中，所述第一绝缘膜的在所述第二方向上位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片外部的部分在面对所述第一半导体芯片的侧面的方向上弯曲。