[发明专利]一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路有效
| 申请号： | 201410647848.3 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104320114A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李新富;欧余斯;程亮亮 | 申请（专利权）人： | 杭州桑尼能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K19/14 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 李大刚;刘晓阳 |
| 地址： | 311500 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，包括光耦(OC)和输入端连接在DSP的IO口或PWM口上的非门电路(NOT1)；所述光耦(OC)内的发光二极管阳级连接至第一电源(VCC1)，光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第一限流电阻(R3)连接至非门电路(NOT1)的输出端，所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)，上拉电阻(R2)与第二电源(VCC2)相连，所述光耦(OC)的信号输出端连接至受控的IGBT或MOS。本发明可以起到高效的抗EMI干扰的作用，从而可以达到防止MOS或IGBT误开通和关断的目的，而且电路结构简单、成本较低、需要的体积也较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 igbt mos 性能 抗干扰 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：包括光耦(OC)和输入端连接在DSP的IO口或PWM口上的非门电路(NOT1)；所述光耦(OC)内的发光二极管阳级连接至第一电源(VCC1)，光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第一限流电阻(R3)连接至非门电路(NOT1)的输出端，所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)，上拉电阻(R2)与第二电源(VCC2)相连，所述光耦(OC)的信号输出端连接至受控的IGBT或MOS。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州桑尼能源科技有限公司，未经杭州桑尼能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410647848.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
