[发明专利]一种制备硅质靶材的方法在审
| 申请号： | 201410648620.6 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104451564A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 彭迟香 | 申请（专利权）人： | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备硅质靶材的方法。将高纯多晶硅原料与掺杂剂混合装料后，置于铸锭炉内抽真空、加热熔化、长晶、退火和冷却后，切割打磨硅锭后制得方形靶材。该制备方法生产周期短，所制备的硅靶材电阻率可通过掺杂剂的量连续精确控制，且具有分布均匀、靶材尺寸大、晶体完整等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硅质靶材 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅质靶材的方法，其特征在于，将高纯多晶硅原料与掺杂剂混合装料后，置于铸锭炉内抽真空、加热熔化、长晶、退火和冷却后，切割打磨硅锭制得方形靶材。
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