[发明专利]一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法在审
| 申请号： | 201410648964.7 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105648522A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 余剑云;佟辉;郑伟;张学锋;赵科新;郭东民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 周秀梅;李颖 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长制备技术，具体的说是一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法。本发明在晶体生长过程中防止晶体底部大面积粘埚及生长结束后脱埚的工艺方法，采用本发明方法可以有效防止生长晶体底部大面积粘埚，晶体直径一致性好；其保证了晶体在冷却过程中与坩埚分离，处于悬空状态，减小晶体热应力，大大降低晶体开裂的概率(至少可以降低20％)，提高晶体成品率(可以达到70％)和取材率(可以达到75％)；还有利于缩短生长周期(可以缩短2天)，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 晶体生长 过程 晶体 开裂 方法 | ||
【主权项】：
一种防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方法，其特征在于：在泡生法中待晶体生长至等径后期将提拉速率升高至等径阶段提拉速率的5‑8倍，降温斜率降至等径阶段降温斜率的1/4‑3/4，使晶体生长速率降低至等径阶段长速的1/3‑3/4，进行等径收尾生长；待晶体重量达到投料量后，继续升高至收尾阶段提拉速率的5‑8倍，增大降温斜率至收尾阶段降温斜率的5‑7倍，直至晶体生长完成，停止提拉；而后将泡生炉功率升高至引晶功率，保持附近5‑30min，同时缓慢上提提拉杆5‑30mm，直到晶体质量稳定在投料量附近，晶体自动脱离坩埚，处于悬空状态，而后进入降温使单晶凝固成晶碇。
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