[发明专利]一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法，采用磁控溅射镀膜系统，以玻璃片为衬底，在衬底上利用共溅射法溅射制备Al/a‑Si复合膜，将Al均匀填埋在a‑Si薄膜中，通过调节Al/Si共溅射的功率比可控制薄膜中的Al/Si含量。采用Si溅射功率为100~350W、Al溅射功率20~30W共溅射制备出Al/a‑Si复合膜，再将其放入RTP快速光热退火炉中于N2气氛下150℃~300℃退火10~15min，可得到晶化率为45%~90%、晶粒尺寸为20~100nm的多晶硅薄膜，提高了晶化效率，实现了低温快速制备出晶化率高、均匀性好的多晶硅薄膜。

主权项

一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法，其特征包括：采用磁控溅射镀膜系统，在衬底上进行双靶共溅射，其中非晶硅（a‑Si）薄膜的溅射功率为100W~300W，铝（Al）膜的溅射功率为20~30W，制备Al/a‑Si复合膜，将Al/a‑Si复合膜在快速退火炉中于N2气氛下进行低温快速退火，制备出晶华率高、晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜；退火温度在150℃~300℃，退火时间为10~15min，其薄膜晶化率达到45%~90%、晶粒尺寸达到30~80nm。