[发明专利]一种制备氮化镓自支撑衬底的无碎裂纹激光剥离方法在审
| 申请号： | 201410650320.1 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105590841A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘南柳;梁智文;李顺峰;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备氮化镓自支撑衬底的无碎裂纹激光剥离方法，在氮化镓/蓝宝石复合衬底与激光剥离载物台间增加应力缓冲支撑层，利用该应力缓冲支撑层的反弹力，减小并缓冲在激光剥离过程中在界面处产生的对氮化镓厚膜的巨大冲击力，从而防止在激光剥离过程中氮化镓厚膜发生碎裂纹的现象。本发明采用应力缓冲支撑层的激光剥离方法，突破了传统激光剥离方法制备氮化镓自支撑衬底时氮化镓层容易碎裂的技术瓶颈，提高了激光剥离制备氮化镓自支撑衬底产品良率，有效降低生产成本，有利于产业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 支撑 衬底 碎裂 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化镓自支撑衬底的无碎裂纹激光剥离方法，其特征在于，在氮化镓厚膜/蓝宝石衬底(2)的氮化镓厚膜(22)与激光剥离载物台(1)间，制备与氮化镓厚膜(22)与激光剥离载物台(1)紧密贴接的应力缓冲支撑层(4)，用于激光剥离工艺，利用该应力缓冲支撑层(4)的反弹力fb，来减小并缓冲因高能量密度的激光束聚焦照射蓝宝石衬底(2)与氮化镓厚膜(22)间界面(24)的局部，使该处氮化镓被高热急速分解膨胀而产生的冲击力fi对氮化镓厚膜(22)的冲击，从而防止在激光剥离过程中氮化镓厚膜(22)发生碎裂纹的现象。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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