[发明专利]一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法

摘要

本发明涉及一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法。本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池技术领域。一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：柔性衬底上制备高结合力吸收层时，在CIGS吸收层与Mo电极层之间设计一应力缓冲层；柔性CIGS薄膜太阳电池包含多层结构；制备应力缓冲层(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜的工艺步骤为：采用共蒸发In、Ga和Se元素沉积IGS薄膜；沉积过程中，衬底温度350℃～480℃，蒸发腔室中始终保持Se气氛；Ga、In、Se蒸发源的温度恒定，得到(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜，然后沉积CIGS吸收层。本发明具有能够获得高结合力CIGS吸收层，有效避免了柔性衬底上的CIGS薄膜因内应力而开裂、甚至脱落等问题，改善了吸收层电学性质，改善CIGS薄膜结晶质量等优点。

主权项

一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：柔性衬底上制备高结合力吸收层时，在CIGS吸收层与Mo电极层之间设计一(In_1‑x,Ga_x)₂Se₃薄膜0.2<x<0.8应力缓冲层；柔性CIGS薄膜太阳电池包含多层结构；制备应力缓冲层(In_1‑x,Ga_x)₂Se₃薄膜的工艺步骤为：整个蒸发腔室的真空压强达到1×10^‑4Pa，在CIGS薄膜吸收层沉积之前，采用共蒸发In、Ga和Se元素沉积(In_1‑x,Ga_x)₂Se₃薄膜；沉积过程中，衬底温度350℃～480℃，蒸发腔室中始终保持Se气氛；Ga、In蒸发源的温度分别恒定为900℃‑1100℃、800℃‑1000℃，Se蒸发源为250℃～350℃保持恒定，得到(In_1‑x,Ga_x)₂Se₃薄膜，然后沉积CIGS吸收层。