[发明专利]一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风

摘要

本发明为一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基及位于所述背极板硅基上方的振膜，其特征在于：导电良好的背极板硅基和振膜作为麦克风电容的两极板；背极板硅基上沉积有背极板金属电极，背极板金属电极和背极板硅基电连接；背极板硅基上设有若干个直接与大气相通的TSV声孔；振膜上设有小凸柱；振膜上沉积有振膜电极，振膜电极和振膜电连接；振膜电极和背极板金属电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；振膜由氧化硅层支撑悬于背极板硅基的上方，之间形成气隙，背极板硅基、振膜和气隙形成电容结构。本发明产品灵敏度高、一致性好且生产优良率高，可与ASIC封装为一体。

主权项

一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基（1）及位于所述背极板硅基（1）上方的振膜（2），其特征在于：背极板硅基（1）和振膜（2）均导电良好，作为麦克风电容的两极板；背极板硅基（1）上沉积有背极板金属电极（5），背极板金属电极的材质为Al/Cu合金或Al/Cu合金加上Au，背极板金属电极（5）和背极板硅基（1）电连接；背极板硅基（1）上设有若干个TSV声孔（3），TSV声孔（3）直接与大气相通；振膜（2）上设有小凸柱（7）；振膜（2）上沉积有振膜电极（8），振膜电极（8）和振膜（2）电连接；振膜电极（8）和背极板金属电极（5）分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；振膜（2）和背极板硅基（1）经硅硅键合工艺键合成一体，振膜（2）由氧化硅层（6）支撑悬于背极板硅基（1）的上方，振膜（2）和背极板硅基（1）之间有气隙（4），背极板硅基（1）、振膜（2）和气隙（4）形成电容结构。