[发明专利]嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法在审
| 申请号： | 201410654436.2 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105679645A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 谭俊;周海锋;康俊龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过程中，在锗硅薄膜生长的一定厚度范围内，先适当降低锗浓度，再逐步提高所述锗浓度，形成一线性浓度梯度，直至超过平均锗浓度，最后保持所述锗浓度恒定而完成生长。与传统技术相比，本发明减少了在嵌入式锗硅外延的生长过程中由于锗浓度的直接变化导致晶格失配而诱发的锗硅薄膜的位错缺陷，提高了锗硅的应力，改善了PMOS晶体管的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 外延 缺陷 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法，包括在所述锗硅外延的反应过程中，在锗硅薄膜生长的一定厚度范围内，先适当降低锗浓度，再逐步提高所述锗浓度，形成一线性浓度梯度，直至超过平均锗浓度，最后保持所述锗浓度恒定而完成生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
