[发明专利]一种碳离子注入方法在审
申请号: | 201410654569.X | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104377122A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 余德钦;邱裕明;肖天金 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种碳离子注入方法,通过改进现有的碳离子注入方法,在通入的CO2气体中加入H2,由于H2和CO2在离子注入腔室内碰撞分解成C+和H+,以及游离态的O和H原子,通过牵引电极的加速磁场将H+过滤掉,将C+加速注入到晶圆中,同时O和H反应可以生成H2O蒸汽,可以避免O和W反应;通过控制H2和CO2的流速可以避免离子注入腔室内W黏附物的形成,减少对腔体的腐蚀,保证束流的均一性和稳定性;同时,没有引入其他杂质元素,避免了对晶圆的污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 方法 | ||
【主权项】:
一种采用离子注入机进行碳离子注入的方法,在离子注入腔室中进行,离子注入腔室包括:晶圆夹持装置,位于晶圆夹持装置下方的阴极,位于晶圆夹持装置上方的具有加速磁场的牵引电极,以及连接于离子注入腔室的真空泵,其特征在于,包括:步骤01:将晶圆置于离子注入腔室中的夹持装置上;步骤02:对所述离子注入腔室抽真空;步骤03:向所述离子注入腔室通过不同管路分别通入CO2和H2;步骤04:通过所述阴极激发CO2和H2分解,产生氢离子、碳离子、氧原子和氢原子;步骤05:通过所述牵引电极将所述氢离子和所述碳离子吸入所述加速磁场中,同时,所述氢原子和所述氧原子反应生成水蒸气被所述真空泵抽走;步骤06:经所述加速磁场的磁场离子质量筛选,将所述氢离子排除,同时筛选出所述碳离子;并对所述碳离子进行聚焦、扫描、加速以及离子束纯化;步骤07:所述碳离子注入到所述晶圆内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410654569.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造