[发明专利]鳍层光刻对准标记的制备方法

摘要

本发明提供了鳍层光刻对准标记的制备方法，通过设计版图中光刻对准标记处的牺牲层图形的宽度和间距，按照边墙硬掩膜自对准双重图形化工艺过程进行牺牲层的刻蚀、边墙介质层的沉积与刻蚀、以及鳍的刻蚀，并且沉积的边墙介质层填充满光刻对准标记处的牺牲层图形的间距；从而使得光刻对准标记处得到的鳍宽度与该处的牺牲层图形的间距相同且大于鳍标准宽度；由此，本发明在不增加额外的光刻工艺下，有效地将光刻对准标记处的鳍宽度增加，且其面积占光刻对准标记区域的总面积的比例增加，从而显著提升了光刻对准标记的光学识别率和光刻对准精度。

主权项

一种用于鳍型晶体管工艺中的鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：根据鳍层的鳍标准宽度，设计版图中常规区域的牺牲层图形以及光刻对准标记处的牺牲层图形；其中，所述光刻对准标记处的牺牲层图形的宽度和间距均大于所述鳍标准宽度的两倍，且所述常规区域的牺牲层图形的间距大于所述光刻对准标记处的牺牲层图形的间距；步骤02：在一硅衬底上沉积牺牲层；步骤03：采用所述版图，在所述牺牲层中刻蚀出常规区域的牺牲层图形以及光刻对准标记处的牺牲层图形；步骤04：在完成所述步骤03的所述硅衬底上沉积边墙介质层，所述边墙介质层填充满所述光刻对准标记处的牺牲层图形的间距，且在竖直方向上的所述边墙介质层的横向厚度小于所述常规区域的牺牲层图形的间距的一半；步骤05：刻蚀所述步骤03所形成的牺牲层图形顶部的所述边墙介质层，暴露出所述牺牲层图形的顶部，从而形成边墙硬掩膜；步骤06：将常规区域的和光刻对准标记处的牺牲层图形去除；步骤07：利用所述边墙硬掩膜，在所述硅衬底中刻蚀出鳍；所述光刻对准标记处的鳍的宽度大于所述常规区域的鳍的宽度。