[发明专利]反应腔室有效
申请号: | 201410655635.5 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN105590880B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 聂淼 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔室,其包括腔室侧壁和设置在腔室侧壁顶部的气体分配板,腔室侧壁的上表面与气体分配板的下表面相互间隔,且在二者之间设置有密封圈,该密封圈采用线接触的方式分别与腔室侧壁的上表面和气体分配板的下表面相接触,用以对二者之间的间隙进行密封。本发明提供的反应腔室,其可以减小气体分配板和腔室侧壁之间的热传递,从而可以提高气体分配板和腔室侧壁的温控精度。 | ||
搜索关键词: | 反应 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔室,其包括腔室侧壁和设置在所述腔室侧壁顶部的气体分配板,其特征在于,所述腔室侧壁的上表面与所述气体分配板的下表面相互间隔,且在二者之间设置有密封圈,所述密封圈采用线接触的方式分别与所述腔室侧壁的上表面和所述气体分配板的下表面相接触,用以对二者之间的间隙进行密封;并且,所述密封圈在其径向横截面上的投影形状为“C”形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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