[发明专利]通过OPC修改布局设计以降低拐角圆化效应有效
| 申请号： | 201410657096.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105321820B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;郭正诚;蔡境哲;杨宝如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法。接收用于半导体器件的第一布局设计。第一布局设计包括多条栅极线和与栅极线重叠的有源区。有源区包括至少一个有角拐角，该有角拐角邻近栅极线中的至少一条设置。通过光学邻近修正(OPC)工艺修改用于半导体器件的第一布局设计，从而产生第二布局设计，第二布局设计包括修改的有源区，修改的有源区具有向外突出的修改的拐角。之后，基于第二布局设计制造半导体器件。本发明还涉及通过OPC修改布局设计以降低拐角圆化效应。 | ||
| 搜索关键词： | 布局设计 拐角 半导体器件 源区 栅极线 圆化 光学邻近修正 制造 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：接收用于半导体器件的第一布局设计，其中，所述第一布局设计包括多条栅极线和与所述栅极线重叠的有源区，并且其中，所述有源区包括至少一个有角拐角，所述有角拐角邻近所述栅极线中的至少一条设置；通过光学邻近修正OPC工艺修改用于所述半导体器件的第一布局设计，从而产生第二布局设计，所述第二布局设计包括修改的有源区，所述修改的有源区具有向外突出的修改的拐角；以及基于所述第二布局设计制造所述半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410657096.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：指纹传感器
- 下一篇：能抑制自身电磁辐射的电感电容共振腔及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
