[发明专利]一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法

摘要

本发明涉及是一种具有整流作用的碳化硅JFET栅结构的制备方法，包括1）在第一导电类型衬底上生长第一导电类型层；2）形成PN结；3）通过欧姆退火实现源极和漏极欧姆接触；4）通过整流栅极接触退火间形成整流栅接触。优点与常规碳化硅JFET栅结构相比具有可控栅电压范围宽、栅极电流小的优势。在常规结构碳化硅JFET结构基础上加入栅接触区7，通过调整栅极接触区掺杂浓度和退火条件在栅电极8与栅接触区7之间引入整流特性限制栅流，扩大栅极电压范围，利用栅注入载流子感应作用提高沟道导通能力。

主权项

一种具有整流作用的碳化硅JFET栅结构的制备方法，其特征是包括如下工艺步骤：1）在第一导电类型衬底上生长第一导电类型层；2）通过两组注入分别形成具有第二导电类型的栅接触区和栅极区两部分，栅极区和具有第一导电类型的漂移区和沟道区分别形成PN结；3）通过欧姆退火实现源电极与沟道区和漏电极与第一导电类型衬底之间的欧姆接触；4）通过整流栅极接触退火在栅电极和第二导电类型的栅接触区之间形成整流栅接触；所述整流栅的开启电压控制在2V‑20V；所述第一导电类型是n型，并且其中第二导电类型是p型；所述的栅接触区表面具有1×1016至1×1018/cm3个原子的掺杂浓度；所述的栅结构形成栅电极和第二导电类型的栅接触区整流栅极接触退火温度在600℃至900℃。