[发明专利]一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201410657646.7 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104505423A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 覃东欢;卢宽宽;刘涵;谢雅;吴荣方 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0296;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下到上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、n型层、光活性层和阳极叠层而成;所述的光活性层厚度为100~700 nm,由一层或多层CdTe纳米晶层组成;所述的n型层为CdSe薄膜。本发明大幅提高碲化镉-硒化镉全无机纳米晶异质结太阳电池的能量转化率,提高器件的开路电压和填充因子,大大延长了器件寿命。本发明制备工艺简单,主要过程均可在普通的通风橱内溶液加工完成,且使用较低温度热处理,大大减少了制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 溶液 加工 倒置 结构 cdte 纳米 晶异质结 高效 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于,所述太阳电池由下到上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、n型层、光活性层和阳极叠层而成;所述的光活性层厚度为100~700 nm,由一层或多层CdTe纳米晶层组成;所述的n型层为CdSe薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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