[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
| 申请号： | 201410657961.X | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104681572B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 广田功 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以高速地进行焦点控制的固态成像装置，其包括具有以像素为单位分割的光电转换部并且叠置的两层以上的光电转换层。入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括具有以像素为单位分割的光电转换部并且叠置的两层以上的光电转换层，其中入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收，和其中第一光电转换层的多个像素包括透过光到第二光电转换层的像素和未透过光到第二光电转换层的像素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410657961.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有双绝缘层的发光二极管阵列及其生产方法
- 下一篇：三维半导体存储器器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
