[发明专利]一种平面光波导器件及其制作方法有效
申请号: | 201410658073.X | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104360442A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 刘春梅;李朝阳 | 申请(专利权)人: | 四川飞阳科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/132 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种平面光波导及其制作方法,所述制作方法包括:在衬底表面形成下包层;在下包层表面形成锗掺杂的二氧化硅层;对所述二氧化硅层进行多次退火处理,相邻两次退火中,后一次退火温度高于前一次退火温度;对所述二氧化硅层进行刻蚀,形成预设结构的波导芯层;形成覆盖所述波导芯层的保护层。通过多次阶梯状温度退火,在提高波导芯层相对于下包层折射率的同时保证了波导芯层的折射率均匀性。采用所述制作方法制备的平面光波导器件,波导芯层相对于下包层的折射率差值大于或等于1%,且波导芯层的折射率均匀性小于或等于0.02%。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 波导 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种平面光波导器件的制作方法,其特征在于,包括:在衬底表面形成下包层;在下包层表面形成锗掺杂的二氧化硅层;对所述二氧化硅层进行多次退火处理,相邻两次退火中,后一次退火温度高于前一次退火温度;对所述二氧化硅层进行刻蚀,形成预设结构的波导芯层;形成覆盖所述波导芯层的保护层。
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