[发明专利]低温漂CMOS振荡器电路有效
| 申请号： | 201410658573.3 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104320085A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘小淮;陈远金;张谨;张紫乾;白涛 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;耿英 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温漂CMOS振荡器电路，比较器双阈值的控制实现低温漂CMOS振荡器电路，可自动监控比较器延迟时间随温度变化，降低CMOS振荡器的温漂。电路结构简单，温漂低，工艺可移植性强。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 cmos 振荡器 电路 | ||
【主权项】：
一种低温漂CMOS振荡器电路，其特征是，第一电阻、第二电阻、第三电阻依次串联后，第三电阻的末端接地，第一电阻的始端接电源VDD；第一电阻、第二电阻的共连点A连接至运算放大器的正向输入端，运算放大器的反向输入端经第四电阻连接至比较器的正向输入端，运算放大器的输出端经第一开关连接至比较器的反向输入端；第二电阻、第三电阻的共连点经第二开关连接至比较器的反向输入端；比较器的正向输入端经第六电阻与NMOS管的漏极连接，同时还经第五电阻与PMOS管的漏极连接；NMOS管的源极接地，栅极接至第二反相器的输出端；PMOS管的源极连接至电源，栅极连接至第二反相器的输出端；比较器的输出端经一触发电路正反馈输出振荡时钟CLK。
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