[发明专利]一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种用于制备组件抗PID特性的晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，可以在保证电池片转换效率不下降的前提下，制备出具有抗PID特性的太阳能电池封装组件。它在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜，使叠层膜具有：内层氮化硅膜具有良好的氢体钝化效果，保证电池片转换效率不下降；二氧化硅膜具有阻碍Na4离子特性，以致组件具有抗PID效果。本发明的有益效果是：只需要调整PECVD镀膜工艺方案，不需要添加设备，不增加电池制程工序，就可以在保证转换效率不下降的前提下，具有抗PID效果；该方案简单可行、成本低廉，且能够用于工业化大生产；适用于所有单晶、多晶晶硅太阳能电池的管式PECVD镀膜设备。

主权项

一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜的PECVD工艺，具体操作工艺如下：(1)将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在400‑500℃的温度下，先后完成抽真空、NH3清洗、N2气吹扫、抽真空工艺步骤；(2)随后通入SiH4和NH3制备内层氮化硅膜；(3)在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入SiH4和N2O制备二氧化硅膜；(4)在完成二氧化硅膜工艺后，抽真空，随后通入SiH4和NH3制备外层氮化硅膜；(5)在完成外层氮化硅镀膜工艺后，先后完成抽真空、N2气吹扫、充N2恢复常压、出片，至此完成整个氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层膜镀膜工序。