[发明专利]一种侧壁与背部导通的发光二极管及其制作工艺

摘要

本发明公开了发光二极管的制程领域的发光二极管，它包括一基板、发光外延层、电流扩展层、沟槽区、P电极、N电极和保护层。N型层的外侧面边缘设有向下倾斜的斜面，该斜面延伸至N型层的底部形成用于起桥接作用的倒角结构，并在该斜面上设置有导电包覆层，形成一种侧壁与背部导通的发光二极管制程技术。设计有倒角结构，使N电极与导电包覆层实现桥接，实现桥接后，N电极通过导电包覆层与侧壁或者背面导通，使发光二极管具有高导热性和高导电性，实现高电流驱动，可联接正面的Ｎ电极与侧边的导电包覆层，让电流可以顺利的流到背面去。

主权项

一种侧壁与背部导通的发光二极管，它包括：   一基板，基板的底面设有反射层;   发光外延层，生长于基板表面，该发光外延层从下往上至少包含有N型层、发光层和P型层;   电流扩展层，设置于P型层的表面;   沟槽区，位于发光外延层的边缘，且在N型层的边缘上方预留有槽位，使N型层的边缘裸露出来;   P电极，设置于电流扩展层与P型层的表面;   N电极，设置于N型层的边缘表面，且位于沟槽区的外边缘;   保护层，覆盖于发光外延层与电流扩展层的上表面，其边缘向下延伸至沟槽区内;   其特征在于，所述N型层的外侧面边缘设有向下倾斜的斜面，该斜面延伸至N型层的底部形成用于起桥接作用的倒角结构，并在该斜面上设置有导电包覆层，该导电包覆层向下延伸紧贴着基板的侧面且延伸至基板的底面，该导电包覆层向上延伸紧贴着N电极的侧面。