[发明专利]一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法有效

专利信息
申请号: 201410659951.X 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN104359920A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 杨宇翔;高明煜;刘秀;严志超;曾毓;黄继业;何志伟 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G06T7/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法。目前生产商在制造薄膜电容过程中,由于工艺原因电容表面会出现凹凸不平、毛刺、留白、边缘突起等缺陷。传统方法采用人工目测对电容表面缺陷进行检测,其检测过程劳动强度大而且效率低。本发明首先利用目标前景提取剔除不必要的背景,通过水平垂直投影得到目标电容区域,然后进行边缘检测与梯度检测。本发明的复杂度低,运行速度快,可以满足生产线的实时检测需要,具有适应性强,检测精度高的优点。
搜索关键词: 一种 用于 薄膜 电容 外观 缺陷 检测 图像 处理 方法
【主权项】:
一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法,主要由目标前景提取、边缘形状检测和梯度检测组成,其特征在于:假设f(x,y)代表采集到的大小为M×N的电容图像,用f1(x,y)、f2(x,y)、f3(x,y)分别表示f(x,y)的R、G、B通道图像;其具体步骤是:步骤(1):根据前景电容和背景在R、G、B通道上的差异,将未超过阈值的点赋值成黑点,从而分割出目标前景;具体计算公式如下:<mrow><mi>f</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfenced open='{' close=''><mtable><mtr><mtd><mn>0</mn><mi>if</mi><msub><mi>f</mi><mn>1</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>1</mn></msub><mi>or</mi><msub><mi>f</mi><mn>2</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>2</mn></msub><mi>or</mi><msub><mi>f</mi><mn>3</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>3</mn></msub></mtd></mtr><mtr><mtd><mi>f</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mi>else</mi></mtd></mtr></mtable></mfenced></mrow>其中T1,T2,T3分别为R、G、B通道的颜色阈值;步骤(2):将f1(x,y)同一行上的值相加,得到各行的和向量G(x),然后进行如下操作:2‑1:将i从0开始递增到M,若出现G(i)大于阈值η,则标记此时的i为目标电容的上边界x0,跳至下一步骤;反之i继续递增,继续判断G(i);2‑2:将i从x0开始递增到M,若出现G(i)小于阈值η,则标记此时的i为目标电容的下边界x1;反之i继续递增,继续判断G(i);步骤(3):将f1(x,y)的同一列的值相加得到各列的和向量G(y),然后进行如下操作:3‑1:将j从0开始递增到N,若出现G(j)大于阈值η,则标记此时的j为目标电容的左边界y0,跳至下一步骤;反之j继续递增,继续判断G(j);3‑2:将j从y0开始递增到N,若出现G(j)小于阈值η,则标记此时的j为目标电容的右边界y1;反之j继续递增,继续判断G(j);由上述步骤提取得到以(x0,y0),(x0,y1),(x1,y0),(x1,y1)为顶点的目标电容区域;步骤(4):对提取到的目标电容区域进行边缘形状缺陷检测:4‑1:统计以(x0,y0),(x0,y0+n),(x1,y0),(x1,y0+n)为顶点的区域内f1(x,y)=0的点的个数,记个数为S1;4‑2:统计以(x0,y1‑n),(x0,y1),(x1,y1‑n),(x1,y1)为顶点的区域内满足f1(x,y)=0的点的个数,记个数为S2;4‑3:统计以(x0,y0),(x0+m,y0),(x0,y1),(x0+m,y1)为顶点的区域内满足f1(x,y)=0的点的个数,记个数为S3;4‑4:统计以(x1‑m,y0),(x1,y0),(x1‑m,y1),(x1,y1)为顶点的区域内满足f1(x,y)=0的点的个数,记个数为S4;若S1,S2,S3,S4满足如下公式,则判定该电容的边缘存在形状缺陷;反之,继续执行下一步骤;<mrow><mi>max</mi><mo>{</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>1</mn></msub><mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>x</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>x</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mi>n</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>2</mn></msub><mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>x</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>x</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mi>n</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>3</mn></msub><mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>y</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>y</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mi>m</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>4</mn></msub><mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>y</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>y</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mi>m</mi></mrow></mfrac><mo>}</mo><mo>></mo><mi>&alpha;</mi></mrow>其中n为左右边缘矩形框的宽度,m为上下边缘矩形框的高度,α为检测阈值;步骤(5):对提取到的目标电容区域进行高斯滤除,去除噪声;采用如下公式,滤波后的三通道图像记为g(x,y):g(x,y)=H*f(x,y)其中H表示一个5×5的高斯核函数,*表示卷积;步骤(6):对滤波后的目标电容图像g(x,y)做梯度检测;6‑1:根据如下公式计算梯度公式g′(x,y)=|g′x|+|g′y|其中g′x=g(x+1,y)‑g(x,y),g′y=g(x,y+1)‑g(x,y);6‑2:对g′(x,y)做阈值处理,若g′(x,y)小于阈值β,将其值赋为0,反之,则g′(x,y)保持不变;6‑3:最后统计g′(x,y)内非0点的总个数,若总个数大于阈值T,则判定该电容存在缺陷,反之则判定该电容不存在缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410659951.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top