[发明专利]一种晶体管小信号等效电路模型有效
| 申请号： | 201410665717.8 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104573173B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 黄风义;唐旭升;张有明;彭振宁;张雪刚 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应，因此，可以更高精度地模拟晶体管的性能，用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 信号 等效电路 模型 | ||
【主权项】：
一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，其特征在于，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联；所述晶体管小信号等效模型包括在源极内节点(S`)外连接着源极外节点(S)，在漏极内节点(D`)外连接着漏极外节点(D)，在栅极内节点(G`)外连接着栅极外节点(G)；所述寄生部分包括位于源极内节点(S`)和源极外节点(S)之间的源极寄生单元(130)，位于栅极内节点(G`)和栅极外节点(G)之间的栅极寄生单元(110)，位于漏极内节点(D`)和漏极外节点(D)之间的漏极寄生单元(120)；源极内节点(S`)和栅极内节点(G`)之间还连接着栅源极间寄生单元(140)，源极内节点(S`)和漏极内节点(D`)之间还连接着源漏极间寄生单元(160)，栅极内节点(G`)和漏极内节点(D`)之间还连接着栅漏极间寄生单元(150)；所述栅极寄生单元(110)包括相互串联的栅极寄生电感(111)和栅极寄生电阻(112)；栅极高阶寄生电阻(114)和栅极高阶寄生电感(115)相互串联后，再与栅极寄生电阻(112)并联；栅极对地寄生电容(113)连接在栅极外节点(G)和源极外节点(S)之间；漏极寄生单元(120)包括相互串联的漏极寄生电感(121)和漏极寄生电阻(122)；漏极高阶寄生电阻(124)和漏极高阶寄生电感(125)相互串联后，再与漏极寄生电阻(122)并联；漏极对地寄生电容(123)连接在漏极外节点(D)和源极外节点(S)之间；源极寄生单元(130)包括相互串联的源极寄生电感(131)和源极寄生电阻(132)；源极高阶寄生电阻(133)和源极高阶寄生电感(134)相互串联后，再与源极寄生电阻(132)并联。
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