[发明专利]一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法在审

专利信息
申请号: 201410666447.2 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104393423A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 郭继权;田宇兴 申请(专利权)人: 武汉虹信通信技术有限责任公司
主分类号: H01Q21/00 分类号: H01Q21/00;H01Q19/00;H01Q19/10
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 赵丽影
地址: 430073 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,主要针对LTE频段多天线增益提升提供一种解决方案。本发明在不改变LTE多天线阵列原有结构(反射板、馈电网络、阵列数量、振子数量、阵列间距、振子间距、极化方式、功率分配比例)前提下,根据不同振子的功率分配比例,在阵列中不同的位置引入若干数量的引相器,多天线阵列,每一列包含1-n个引向器,引向器的位置位于振子正上方,距离振子h,0.08λ≤h≤0.35λ。多天线阵列的引向器,为十字形或圆环状金属片,其尺寸小于λ/2;以此来提高阵列天线的增益。
搜索关键词: 一种 lte 频段 天线 阵列 增益 补偿 方法
【主权项】:
一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,所述LTE频段多天线阵列,支持1710‑2690MHz工作频段,包括一个以上反射板,每个反射板上安装一列天线辐射振子,振子通过设于反射板背部的馈电网络实现相互之间的电连接;其特征在于:根据不同天线辐射振子的功率分配比例,在阵列中不同的位置分别引入引相器,以此提高阵列天线的增益。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉虹信通信技术有限责任公司,未经武汉虹信通信技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410666447.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top