[发明专利]硅晶片外部的电感器/变压器在审
| 申请号： | 201410667398.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105161453A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | S·萨塔德贾 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01F30/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及硅晶片外部的电感器/变压器。本发明提供一种集成电路封装，包括集成电路和内插层。内插层布置在集成电路之上并且包括至少部分地形成在内插层内的电感器。电感器包括第一对导电柱，第一对导电柱包括分别形成在第一过孔和第二过孔内的第一导电柱和第二导电柱。第一过孔和第二过孔穿过内插层而形成。电感器进一步包括第一导电迹线和第一导电互连结构，第一导电迹线跨接第一导电柱在内插层的第一表面上的第一端和第二导电柱在内插层的第一表面上的第一端，第一导电互连结构连接在第一导电柱的第二端和第二导电柱的第二端与集成电路之间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 外部 电感器 变压器 | ||
【主权项】：
一种集成电路封装，包括：集成电路；以及内插层，布置在所述集成电路之上，所述内插层包括至少部分地形成在所述内插层内的电感器，所述电感器包括：第一对导电柱，所述第一对导电柱包括分别形成在第一过孔和第二过孔内的第一导电柱和第二导电柱，其中所述第一过孔和所述第二过孔穿过所述内插层而形成，第一导电迹线，所述第一导电迹线跨接所述第一导电柱在所述内插层的第一表面上的第一端和所述第二导电柱在所述内插层的所述第一表面上的第一端，以及第一导电互连结构，所述第一导电互连结构连接在(i)所述第一导电柱的第二端和所述第二导电柱的第二端与(ii)所述集成电路之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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