[发明专利]硅锭的制备方法及硅锭在审
| 申请号： | 201410668000.9 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104451873A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王全志;孟庆超;苏春阳;甄良欣;张莉沫;夏新中;潘明翠;乔松;窦伟军 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 106064 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅锭的制备方法及硅锭。该制备方法包括以下步骤：将装有硅原料的坩埚置于铸锭炉中，并对坩埚进行加热以使硅原料通过第一次熔化形成第一熔融硅；降低坩埚底部的温度，以使部分第一熔融硅通过第一次长晶形成第一晶体硅；对坩埚进行加热，以使部分第一晶体硅通过第二次熔化，并在坩埚中形成第二熔融硅；降低坩埚底部的温度，以使全部第二熔融硅通过第二次长晶形成第二晶体硅；对第二晶体硅进行退火和冷却，以获得硅锭。该制备方法能够使得杂质得到进一步分凝，从而降低了所形成硅锭中的杂质的含量和缺陷密度，进而提高了生长形成硅锭的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锭的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将装有硅原料的坩埚置于铸锭炉中，并对所述坩埚进行加热以使所述硅原料通过第一次熔化形成第一熔融硅；降低所述坩埚底部的温度，以使部分所述第一熔融硅通过第一次长晶形成第一晶体硅；对所述坩埚进行加热，以使部分所述第一晶体硅通过第二次熔化，并在所述坩埚中形成第二熔融硅；降低所述坩埚底部的温度，以使全部所述第二熔融硅通过第二次长晶形成第二晶体硅；对所述第二晶体硅进行退火和冷却，以获得所述硅锭。
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