[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
申请号: | 201410668447.6 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN104409599A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 张建宝;吴继清;胡瑶 | 申请(专利权)人: | 华灿光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括:衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层和P型层,发光二极管芯片还包括从P型层刻蚀到N型层的凹槽、设于凹槽内的N型层上的N型焊盘、设于P型层上的电流扩展层和P型焊盘,P型焊盘嵌设在电流扩展层中,P型焊盘和N型焊盘均包括依次层叠的底层、中间层和顶层,发光二极管芯片还包括:设于P型层上的第一环状保护层和设于凹槽内的N型层上的第二环状保护层,P型焊盘的底层包括设于P型层上且位于第一环状保护层环内的第一底层、设于P型层上且位于第一环状保护层环外的第二底层和覆盖在第一环状保护层上的第三底层。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层和P型层,所述发光二极管芯片还包括从所述P型层刻蚀到所述N型层的凹槽、设于所述凹槽内的所述N型层上的N型焊盘、设于所述P型层上的电流扩展层和P型焊盘,所述P型焊盘嵌设在所述电流扩展层中,所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括依次层叠的底层、中间层和顶层,其特征在于,所述发光二极管芯片还包括:设于所述P型层上的第一环状保护层和设于所述凹槽内的N型层上的第二环状保护层,所述P型焊盘的底层包括设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环内的第一底层、设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第一环状保护层上的第三底层,所述P型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第一环状保护层的厚度,所述N型焊盘的底层包括设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环内的第一底层、设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第二环状保护层上的第三底层,所述N型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第二环状保护层的厚度。
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