[发明专利]一种化学气相沉积装置及其温控方法有效

专利信息
申请号: 201410668535.6 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN105648425B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 宋涛;萨尔瓦多;刘强;马悦;黄占超;奚明 申请(专利权)人: 理想能源设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/455;C23C16/46
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种化学气相沉积装置,包括:反应腔;设置于所述反应腔底部的基座,用于支撑一个或多个待处理基片;用于加热所述基座与基片的加热单元;设置于所述反应腔顶部的气体喷淋组件,包括第一进气装置和第二进气装置,所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区;设置于气体喷淋组件上用于封闭反应腔并包含冷却装置的盖体;所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝;第一温度测量装置,用于测量气体喷淋组件温度;温控供气装置,用于对A与B两种气体进行配比并根据测量的气体喷淋组件温度供应配比后的气体至所述狭缝。本发明通过调节气体喷淋组件与反应腔体冷却部件间的气体比例,实现气体喷淋组件温度的精确控制。
搜索关键词: 喷淋组件 化学气相沉积装置 进气装置 反应腔 盖体 配比 温控 狭缝 测量 温度测量装置 反应腔顶部 反应腔体 封闭反应 供气装置 加热单元 冷却部件 冷却装置 反应区 加热 支撑
【主权项】:
1.一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括:反应腔,用以对放置于所述反应腔内的基片进行处理;基座,设置于所述反应腔内部,所述基座用于支撑一个或多个待处理的基片;加热单元,用于加热所述基座与所述基片,所述加热单元具有控制回路;气体喷淋组件,设置于所述反应腔的顶部,所述气体喷淋组件包括第一进气装置和第二进气装置,所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区;所述气体喷淋组件将反应气体分配至所述反应区内;盖体,用于封闭所述反应腔,所述盖体包含一冷却装置,所述气体喷淋组件位于所述盖体与所述基座之间;所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝;第一温度测量装置,用于测量所述气体喷淋组件的温度;温控供气装置,用以将混合载气供应至所述狭缝中,所述混合载气包括第一载气和第二载气,所述温控供气装置根据所述气体喷淋组件的温度,相应调整所述第一载气与所述第二载气的配比;所述第一载气包括氢气或氦气中的至少一种,所述第二载气包括氮气或氩气中的至少一种;所述混合载气中第一载气的比例越高,所述第一温度测量装置所测得的温度越低。
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