[发明专利]碳化硅器件的欧姆接触测试方法有效
| 申请号： | 201410669159.2 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104316771B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张永平;辛帅;王浩;王硕 | 申请（专利权）人： | 上海仪电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种碳化硅器件的欧姆接触测试方法。步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比。本发明用于测试碳化硅器件的欧姆接触，测试准确度高，便于进行对比试验。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 欧姆 接触 测试 方法 | ||
【主权项】：
碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比；所述第一预定结构样品上形成的欧姆接触电极为Au/Si/Ti/SiC体系；所述第二预定结构样品上形成的欧姆接触电极为Au/Si/Ti/SiC体系。
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