[发明专利]一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺

摘要

本发明公开了一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，包括对硅片的正面进行预处理，对硅片的正面通过旋转方式涂布光刻胶，对硅片进行软烘焙处理，使用曝光机对硅片进行对准和曝光，将硅片进行后烘焙处理，在硅片的表面喷洒显影液，通过红外线灯对硅片进行硬烘焙处理，显影检验，通入CF4气体对硅片表面进行刻蚀，去除光刻胶，检验，完成光刻。本发明在硅片表面形成完整一致性的抗反射绒面，延长太阳光在电池表面的传播路径，增加电池对太阳光的吸收率，提高电池转换效率。

主权项

一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，包括：A、对硅片的正面进行预处理，所述预处理依次包括：对硅片表面进行高压氮气喷扫，将硅片放入HF溶液中浸泡，用去离子水清洗，将硅片放入HCL溶液中浸泡，用去离子水清洗，烘干；B、对硅片的正面涂布光刻胶；C、对硅片进行软烘焙处理；D、使用曝光机对硅片进行对准和曝光，曝光机的功率为200‑1000W，曝光时间为1‑50秒；E、将硅片进行后烘焙处理，烘焙温度为80‑150℃，烘焙时间为10‑100秒；F、在硅片的表面喷洒显影液；G、通过红外线灯对硅片进行硬烘焙处理，照射时间为5‑20分钟；H、显影检验；I、通入CF4气体对硅片表面进行刻蚀，气体流量为20‑100sccm，反应压力为2‑10Pa，反应时间为2‑20分钟；J、去除光刻胶；K、检验，完成光刻，硅片的正面形成光刻绒面；L、在硅片的正面形成N型发射极、钝化减反射膜和正电极；M、在硅片的背面形成背电场和背电极；N、高温烧结，形成太阳能电池。