[发明专利]基于柔性基底的可延展导电薄膜及其制备工艺有效
| 申请号： | 201410671327.1 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104392904A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 秦歌;李娟娟;李好学;周红梅;明平美 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 王聚才;朱俊峰 |
| 地址： | 454003 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 基于柔性基底的可延展导电薄膜，包括柔性基底、金属底膜、金属薄膜和导电高分子材料薄膜，金属底膜设置在柔性基底表面，金属薄膜和导电高分子材料薄膜呈栅格结构交替设置在金属底膜上，导电高分子材料薄膜的厚度与金属薄膜相同。本发明采用微加工技术和电化学聚合技术制备的可延展导电薄膜兼具良好的导电性与延展性；电化学聚合技术制备的导电高分子材料薄膜，由于其韧性，可随柔性基底一起变形，不会出现裂纹而导致器件失效，且与基底的兼容性好；本发明工艺简单，易于制造，可用来制备柔性电子器件大面积金属结构，也可作为柔性电子器件的互联线。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 柔性 基底 延展 导电 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：包括柔性基底、金属底膜、金属薄膜和导电高分子材料薄膜，金属底膜设置在柔性基底表面，金属薄膜和导电高分子材料薄膜呈栅格结构交替设置在金属底膜上，导电高分子材料薄膜的厚度与金属薄膜相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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