[发明专利]一种场限环结终端结构的优化设计方法有效

专利信息
申请号: 201410671594.9 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN104409477A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 白云;申华军;汤益丹;杨成樾;王弋宇;于海龙;彭朝阳;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张瑾
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种场限环结终端结构的优化设计方法,涉及电力电子器件技术领域,解决了现有技术中场限环结终端结构优化设计较为复杂的问题。该方法包括:确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数;设定初始的场限环间距分布;将相邻的至少两个场限环分为一组,从内侧向外侧逐渐增加各组场限环内的间距;从外侧向内侧逐渐增加各场限环之间的间距;判断器件击穿时各场限环的电场分布是否均匀以及是否同时获得与器件电压等级要求对应的击穿电压;若是,则获得场限环结终端结构优化后的场限环间距分布;否则返回执行上述步骤。本发明适用于在场限环较多时对场限环结终端结构进行优化设计。
搜索关键词: 一种 场限环结 终端 结构 优化 设计 方法
【主权项】:
一种场限环结终端结构的优化设计方法,其特征在于,包括:步骤S11、根据器件的电压等级要求,确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数;步骤S12、设定初始的场限环间距分布,使得器件击穿时最高电场分布在最外侧场限环处;步骤S13、将相邻的至少两个场限环分为一组,从内侧向外侧,逐渐增加各组场限环内的间距,使得器件击穿时最高电场分布在最外侧场限环处;步骤S14、从外侧向内侧,逐渐增加各场限环之间的间距;步骤S15、判断器件击穿时各场限环的电场分布是否均匀以及是否同时获得与器件电压等级要求对应的击穿电压;若器件击穿时各场限环的电场分布均匀且同时获得与器件电压等级要求对应的击穿电压,则执行步骤S16,否则返回执行步骤S11至S15;步骤S16、获得场限环结终端结构优化后的场限环间距分布。
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