[发明专利]一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体的制备方法在审
| 申请号： | 201410673366.5 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104393338A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张耀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01M10/0562 | 分类号： | H01M10/0562 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体，由摩尔比为20:1～4:1的LiBH4和银或卤化银制成。还提供了上述LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体的制备方法。本发明提供的LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体制备方法简单、成本较低，通过在LiBH4中添加Ag和Ag的卤化物，形成LiBH4-Ag/AgX(X为卤族元素)的复合物，能够稳定LiBH4的高温相，增加Li元素的扩散通道，从而使其离子电导率比单纯的LiBH4大大提高，达到100℃左右10-3S cm-1的数量级，为固体电解质提供了更广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 libh4 卤化 复合物 离子 导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LiBH4‑银/卤化银复合物快离子导体，其特征在于：由摩尔比为20:1～4:1的LiBH4和银或卤化银制成。
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