[发明专利]一种半导体器件的圆片级封装结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件的圆片级封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基衬底和带有正负电极的LED芯片，所述硅基衬底的上表面为绝缘层Ⅰ、下表面为绝缘层Ⅱ，所述硅基衬底与LED芯片的横截面的面积比最小可达1.5:1，所述绝缘层Ⅰ的上表面设置再布线金属层，所述LED芯片倒装于再布线金属层的表面，所述LED芯片的垂直区域之外设置至少两个硅通孔，所述绝缘层Ⅱ的下表面设置至少两个导电电极，所述导电电极选择性地覆盖对应的硅通孔，所述硅基衬底的上方设置表面经过粗化处理的包封LED芯片的透光层。本发明形成了同等尺寸芯片的封装结构尺寸更小、热阻值更低、成本更低而亮度更高的半导体器件的圆片级封装结构。

主权项

一种半导体器件的封装结构，其包括硅基衬底（1）和带有正负电极的LED芯片（5），所述硅基衬底（1）的上表面为绝缘层Ⅰ（121）、下表面为绝缘层Ⅱ（122），其特征在于：所述硅基衬底（1）与LED芯片（5）的横截面的面积比最小可达1.5:1，所述绝缘层Ⅰ（121）的上表面设置再布线金属层，所述再布线金属层的最外层为银层或铝层，所述LED芯片（5）倒装于再布线金属层的表面，所述再布线金属层于该LED芯片（5）的正负电极之间分开形成彼此绝缘的再布线金属层图案Ⅰ（21）和再布线金属层图案Ⅱ（22），所述LED芯片（5）的垂直区域之外设置至少两个硅通孔（11），所述硅通孔（11）上下贯穿硅基衬底（1）、绝缘层Ⅰ（121）和绝缘层Ⅱ（122），其内壁设置绝缘层Ⅲ（123），所述硅通孔（11）的纵截面呈倒梯形，且其大口端（1211）朝向绝缘层Ⅰ（121）、小口端（1221）朝向绝缘层Ⅱ（122），所述再布线金属层图案Ⅰ（21）和再布线金属层图案Ⅱ（22）分别向外延伸至同侧的硅通孔（11），并布满其内壁及其小口端（1221）的底部， 所述绝缘层Ⅱ（122）的下表面设置至少两个导电电极，所述导电电极选择性地覆盖对应的硅通孔（11），并分别通过硅通孔（11）的小口端（1221）与再布线金属层图案Ⅰ（21）、再布线金属层图案Ⅱ（22）连接，实现电气连通，所述硅基衬底（1）的上方设置透光层（7），所述透光层（7）包封LED芯片（5），且其出光面为表面经过粗化处理的平面。