[发明专利]晶圆清洗的机制有效
| 申请号： | 201410673482.7 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104658886B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 尤上源;古绍延;萧壅文;许弘杰;张瑞娟;蔡文璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗 晶圆清洗 清洗操作 清洗装置 单晶 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆清洗的方法，包括：通过湿台清洗操作清洗晶圆以至少去除光刻胶；以及此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆以去除所述晶圆经过所述湿台清洗操作后的颗粒残留物；其中，所述湿台清洗操作还包括通过升降器承载所述晶圆，所述升降器包括晶圆保持器，用于保持所述晶圆，所述晶圆保持器包括两个竖直侧壁，每个所述竖直侧壁具有多个分 隔 件和多个凹槽，进一步，所述晶圆保持器进一步包括多个管，所述管形成在每个所述竖直侧壁和所述分隔件中，以将湿蚀刻剂或冲洗溶剂导向邻近的所述晶圆与所述升降器接触的位置，去除该位置的颗粒残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
