[发明专利]一种太阳能电池发射极及其制作方法无效
| 申请号： | 201410674037.2 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104465870A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李军安;何卫华 | 申请（专利权）人： | 广西智通节能环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 545001 广西壮族自治区柳*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池发射极的制作方法，所述方法包括：在硅片表面上的预定区域覆盖扩散浆料；烘干所述扩散浆料；将所述硅片置入扩散炉中进行扩散制结，所述扩散炉中扩散源的扩散杂质与扩散浆料的扩散杂质为同族杂质；以及在所述预定区域上形成电极,在基底层背面未被背面接触件覆盖的部分以及背面接触件上形成钝化层，所述钝化层的钝化膜的折射率在2.6以上。本发明提供的方法避免了现有技术中对硅片的二次高温处理而带来的损害，同时简化了工艺，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 发射极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池发射极的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片表面上的预定区域覆盖扩散浆料；烘干所述扩散浆料；将所述硅片置入扩散炉中进行扩散制结，所述扩散炉中扩散源的扩散杂质与扩散浆料的扩散杂质为同族杂质；以及在所述预定区域上形成电极,在基底层背面未被背面接触件覆盖的部分以及背面接触件上形成钝化层，所述钝化层的钝化膜的折射率在2.6以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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