[发明专利]一种半导体光电器件的表面钝化方法

摘要

本发明提出一种半导体光电器件的表面钝化方法，该方法在半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在该硫原子层上覆盖一层介质膜。该原子层可通过阳极硫化方法形成。介质层可以是SiO₂或ZnS。本发明在电化学反应过程中，硫原子与器件表面的悬挂键结合，从而封闭了表面悬键产生的电子通道，隔绝了器件表面的电子-空穴的复合机制，具有操作简单，成本低，钝化效果显著的优点。

主权项

一种半导体光电器件的表面钝化方法，包括如下步骤：在所述半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在所述硫原子层上覆盖一层介质膜。