[发明专利]一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构在审
| 申请号： | 201410674455.1 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104332826A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 乔忠良;李占国;薄报学;高欣;张晶;李特;李林;李辉;王勇;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 垂直 发散 ingaas gaas 多量 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。
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