[发明专利]一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法

摘要

本发明公开了一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，将鼓槌石斛的种子播种于诱导培养基中诱导发芽，然后将鼓槌石斛小芽转先后移至继代培养基、生根培养基中继续培养，得到鼓槌石斛生根组培苗，即可移栽至大棚中进行炼苗。本发明的组织培养方法简便，步骤简单，操作方便，所得鼓槌石斛生根组培苗植株健壮，生长能力强，适于工厂化生产。

主权项

一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一、将预处理的鼓槌石斛种子播种于诱导培养基中，在温度为28‑30℃，光照强度为2300‑2500lux，光照时间为13‑15h/d的条件下培养7‑15天，得到鼓槌石斛小芽，其中所述诱导培养基为：以MS‑H为基本培养基，然后加入0.5‑3mg/L萘乙酸、1.0‑3.0mg/L吲哚乙酸、0.2‑2.0mg/L噻苯隆、25‑35g/L蔗糖及3‑5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5.5‑6；步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，培养30‑60天，其中培养温度为30‑32℃，在光照强度为2300‑2600lux照射13‑15h/d，培养30‑60天，获得鼓槌石斛组培分化苗，所述继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0.5‑2mg/L玉米素、1‑3mg/L 6‑苄氨基嘌呤、0.5‑2mg/L萘乙酸、0.5‑3.0mg/L吲哚丁酸、0.2‑1.0mg/L噻苯隆、25‑35g/L蔗糖及4‑5g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值为5.7‑6；步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中，培养30‑50天，培养温度28‑32℃、光照强度2500‑3000lux，光照时间为13‑15h/d，然后移到自然光下培养45‑60天，得到鼓槌石斛生根组培苗，所述生根培养基为：1/2MS为基本培养基，加入5‑20%香蕉、0.1‑2.0g/L吲哚丙酸、0.2‑3.0mg/L萘乙酸、2‑5%蔗糖及0.2‑0.5%活性炭，并调整生根培养基的pH值为5.6‑6；步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗移栽至苗床上，培养30‑40天，鼓槌石斛生根组培苗生长稳定后即可移栽至大棚中。