[发明专利]掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410675336.8 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN105655242B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 狄增峰;王刚;陈达;郭庆磊;马骏;郑晓虎;戴家赟;薛忠营;张苗;丁古巧;谢晓明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L21/04 分类号: H01L21/04
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法,其中,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质,利用离子注入技术,实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂,从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。
搜索关键词: 石墨烯 掺杂 铜衬 镍薄膜层 制备 阶段保温 元素区 离子注入技术 掺杂元素 铜镍合金 甲烷 衬底
【主权项】:
1.一种掺杂石墨烯的制备方法,其特征在于,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底,从而使注入到所述镍薄膜层特定区域中的N型掺杂元素和P型掺杂元素在所述铜镍合金衬底的表面聚集;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯;最后缓慢冷却降至室温;其具体方法为:将掺杂元素注入后的所述铜衬底放入反应器中,在800℃~1050℃高温和惰性气体的环境下进行第一阶段保温,保温时间为10min~60min,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底,从而使注入到所述镍薄膜层特定区域中的N型掺杂元素和P型掺杂元素在所述铜镍合金衬底的表面聚集;然后将流量为1sccm~10sccm的甲烷通入所述反应器中进行第二阶段保温,保温时间为10min~60min,以将聚集在所述铜镍合金衬底表面的N型掺杂元素和P型掺杂元素作为形核点,分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区形成N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯;最后缓慢冷却降至室温。
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