[发明专利]掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法有效
申请号: | 201410675336.8 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN105655242B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 狄增峰;王刚;陈达;郭庆磊;马骏;郑晓虎;戴家赟;薛忠营;张苗;丁古巧;谢晓明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法,其中,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质,利用离子注入技术,实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂,从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 掺杂 铜衬 镍薄膜层 制备 阶段保温 元素区 离子注入技术 掺杂元素 铜镍合金 甲烷 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂石墨烯的制备方法,其特征在于,所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括:提供一铜衬底,在所述铜衬底上形成镍薄膜层;在所述镍薄膜层上选择一特定区域,在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素,以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区;对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底,从而使注入到所述镍薄膜层特定区域中的N型掺杂元素和P型掺杂元素在所述铜镍合金衬底的表面聚集;然后在甲烷环境下进行第二阶段保温,以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯;最后缓慢冷却降至室温;其具体方法为:将掺杂元素注入后的所述铜衬底放入反应器中,在800℃~1050℃高温和惰性气体的环境下进行第一阶段保温,保温时间为10min~60min,以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底,从而使注入到所述镍薄膜层特定区域中的N型掺杂元素和P型掺杂元素在所述铜镍合金衬底的表面聚集;然后将流量为1sccm~10sccm的甲烷通入所述反应器中进行第二阶段保温,保温时间为10min~60min,以将聚集在所述铜镍合金衬底表面的N型掺杂元素和P型掺杂元素作为形核点,分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区形成N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯;最后缓慢冷却降至室温。
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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